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創見推出高效DDR4-3200工業用記憶體模組,加速5G世代資料傳輸

2020/08/05
全球工業用記憶體儲存領導品牌—創見資訊(Transcend Information, Inc.)近期推出全新系列DDR4-3200工業用記憶體模組,具備3200MT/s的高傳輸頻寬、低延遲、工作電壓僅1.2V等低耗電特色,迎接來勢洶洶的5G通訊發展和智能邊緣運算需求。此系列產品包含Unbuffered Long-DIMM、Unbuffered SO-DIMM、ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM規格,為市場中多元化的介面規格需求所設計。創見DDR4-3200記憶體模組皆符合JEDEC設計規範,適用於Intel®、AMD與ARM處理器,提供嵌入式電信通訊、博弈、智能照護和車載應用等AIoT領域更有力的輔助。  

採用頂級原廠顆粒
創見工業用記憶體模組所使用的DRAM晶片來自頂級原廠顆粒,屬於品質最高的晶片等級。經過原廠完整且嚴格的測試程序,打造極致品質與可靠度。 

多元應用,量身打造
隨著5G建設日益普及,各產業對高效能、大容量的記憶體需求日益提高。創見DDR4-3200 記憶體模組除各式規格外,也提供企業 8 GB到32 GB等不同容量,滿足從核心到邊緣的超頻需求,應用層面遍及高階伺服器、電腦、工作站、無人裝置、AI配件及智能系統。 

1.2V低電壓,高速省電
DDR4僅需以1.2V的電壓即可運作,所需能源遠低於DDR3、DDR2與DDR。DDR4能以有效的能源分配,支援核心處理器與主機板,以因應龐大記憶體容量的需求。 

極速傳輸,迎向未來
5G世代消弭了電信與電腦的分野,邊緣裝置互相聯通,需處理即時產生的海量資料,因此快速回應時間的需求日益提高。DDR4-3200主打低延遲特性與3200MT/s 的超高速,讓5G世代的資料傳輸和電腦運算更加暢行無阻。 

創見的全系列DDR4-3200記憶體模組皆享有終身有限保固服務。
*Intel 與 Intel Core 為Intel Corporation及其子公司之註冊商標。
*AMD為Advanced Micro Devices, Inc. 之註冊商標。 

全系列產品

DDR4-3200
類型 速度 電壓 容量 工作溫度
Unbuffered Long-DIMM 3200 1.2V 8GB~32GB 標準溫 0°C ~ 85°C

寬溫 -40°C ~ 85°C
Unbuffered SO-DIMM
ECC Long-DIMM
ECC SO-DIMM
Registered Long-DIMM 標準溫 0°C~ 85°C

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