SuperMLC 技術

簡介

NAND Flash的技術可達到一個記憶體儲存單元(cell)中可存放1位元(bit)、2位元、或3位元的資料。它們分別被稱為單層式儲存(SLC),多層式儲存(MLC),以及三層式儲存(TLC)。三者之中,SLC flash 有最好的效能表現、耐久度與可靠度。然而,相較於MLC和TLC,SLC的價格和成本也是最高的。

註:寫入抹除的次數(P/E cycles)會因為Flash的類別以及產品製程而有所差別。

NAND Types SLC SuperMLC MLC TLC
位元/單位 1 1 2 3
效能 ★★★★ ★★★ ★★
耐用度
(P/E cycles)
50K 30K 3K <1K
資料保存可靠度
(Data retention)
★★★★ ★★★ ★★
功耗 Low Low Average Average
成本 $$$$ $$$ $$
特色 價高但使用壽命長、耐用度高 價格比SLC更親民,效能比MLC更優異 廣泛應用於固態硬碟與工業應用 一般用於消費性市場

創見獨家研發的SuperMLC技術,可讓使用MLC flash的SSD效能表現趨近於SLC的NAND flash。儘管減少了部分的容量,創見的SuperMLC NAND在較低的價格下,大幅提升了速度、穩定度和可靠度。

SuperMLC 如何運作?

每個MLC儲存單元可存放2個位元的資料─00,01,10或是11,而SLC的1個儲存單元僅存放1個位元─ 0 或是 1。在SLC 和 MLC NAND中,創見的獨家SuperMLC技術調整了韌體和演算法,將原本MLC的1個單元存2個位元模擬成1個單元存1個位元的儲存模式,比照SLC NAND的運作方式。如圖1。

SuperMLC的優勢

伴隨1個儲存單元存入1位元的存取模式,創見的SuperMLC flash 可以加速資料的讀取,更提供高於MLC兩倍以上的連續寫入速度。如圖2。除此之外,SuperMLC Flash 有更高的可靠度、更大的容錯率以及相較於MLC有10倍以上的耐久度,高達30,000次寫入/抹除次數(P/E cycles)*。SuperMLC 提高了SSD和記憶卡的壽命,使得產品更理想地運用在工業和企業領域。
*因測試環境與測試方法而有所不同差異

耐久度測試

Flash 記憶體裝置的壽命取決於有限次數的P/E cycles。創見採用了內部耐久度的測試工具以確保SuperMLC快閃記憶體的可靠度。測驗結果,每個SuperMLC 的SSD和記憶卡都能達到平均30,000次的P/E cycles,且未出現任何錯誤。 

產品 容量 平均可寫入/抹除次數 錯誤 寫入兆位元組
記憶卡 8GB 30,000 0 130
16GB 30,000 0 260
32GB 30,000 0 520
固態硬碟 8GB 30,000 0 65
16GB 30,000 0 130
32GB 30,000 0 260
64GB 30,000 0 580
128GB 30,000 0 1420
256GB 30,000 0 2460

結論

創見的SuperMLC 技術是一項高經濟效益的解決方案,它融合了效能、耐久度、可靠度和價格等優勢,適合運用在工業和其他企業級領域。

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