DDR3-1600 ECC SO-DIMM

TS512MSK72W6H

  • 4GB
  • 低電壓

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的ECC U-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體模組，具錯誤修正功能提供絕佳耐用性。此外，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特，可有效為企業達到節能減碳的目標。

產品技術

30µ” PCB金手指

抗硫化技術

規格

記憶體模組

RAM種類
DDR3
DIMM種類
ECC SO-DIMM
速度
1600
時序
CL11
容量
4GB
Rank
1Rx8
DRAM
(512Mx8)x9
電壓
1.35V
Pin
204 pin
電路板高度
1.18 吋
PCB金手指鍍金厚度
30 µ”
抗硫化技術
Default

操作環境

工作溫度
  • 標準溫
    0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
  • 寬溫
    °C (°F) ~ °C (°F)

保固

保固
  • 終身有限保固
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產品DM

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