新一代3D NAND快閃記憶體突破96層堆疊的限制，將儲存顆粒垂直往上疊加達112層，更高的堆疊數象徵著更進階的儲存密度與傳輸，同時符合成本效益。創見將此技術搭載於三層式儲存單元(TLC)，為工業用儲存裝置帶來更具競爭力的儲存表現。
高儲存密度
112層3D NAND快閃記憶體透過垂直疊加與橫向擴展的方式增加儲存密度，每單一晶圓密度提升了50%，單位顆粒容量來到了1Tb，與96層堆疊技術的512Gb相比，提高了近兩倍。在符合成本考量下，高儲存密度有效擴展儲存容量，提供資料量快速成長的5G、AIoT或資料中心伺服器應用可靠的選擇。
| NAND 類型 |
112層
3D TLC
|
96層
3D TLC
|
64層
3D TLC
|
| 位元／儲存單元 |
3 |
3 |
3 |
| 晶圓密度 |
★★★★ |
★★★ |
★★★ |
| 效能 |
★★ |
★ |
★ |
| 耐用度(P/E cycles) |
3K |
3K |
1K |
| 資料保存可靠度(Data retention) |
★★ |
★★ |
★ |
| 功耗 |
普通 |
普通 |
普通 |
| 成本/Gb |
$ |
$$ |
$$$ |
| 特色 |
適合高效能工業應用 |
適合固態硬碟與大部分工業應用 |
一般用於消費性市場 |
*註：寫入抹除次數(P/E cycles)會根據flash的類別以及產品製程而有所差別。
速度效能提升
除提高儲存密度，112層3D NAND快閃記憶體也具備更快的傳輸速度。與前一代相比，I/O效能提高了50%，運用在PCIe Gen 4x4固態硬碟可以有突破性的速度增長，低延遲特性有效支援高工作負載工業應用。
進階技術導入
為加強資料儲存可靠度，創見將112層3D NAND快閃記憶體與關鍵技術整合，其中包含寬溫、SLC caching、RAID engine和LDPC ECC等，目的為強化儲存效能並延長裝置使用壽命，讓112層3D NAND快閃記憶體達到更高的資料儲存完整性，提供繁重的工業儲存應用更持久耐用的儲存裝置。